SJ 50033.53-1994 半导体分立器件.CS0530、CS0531型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
DF4F5575268A4B1896895E7813901C46 |
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文件大小(MB)： |
0.62 |
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15 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.53-94,半导体分立哭件,CS 0530 sCS 053I型珅化緣微波,功率场效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS0530 and CS0531 GaAs,microwave Power field effect transistor,1994-09-30 发布 1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,cs 0530.cs 053I型珅化镇微波功率场,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS0530 and CS0531 Ga As,microwave Power field effect transistor,SJ 50033.53—94,1范围,1-1主题内容,本规范规定了 CSO53O.CSO531型碑化镇微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细,要求,1-2适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1. 3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超,将军三级,分别用字母GP,GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-84场效应晶体管测试方法”,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应符合GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33,和本规范的规定.,3. 2.1引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐,表面涂层应为金.,3. 2.2外形尺寸,中华人民共和国电子工业部1994-09-30发布1994-12-01 实施,SJ 50033.53^94,外形尺寸见图員,mm 续表 mm,\R寸,符号、,最小值,、尺寸,最大值 、、,符号、,最小值最大值,K 43 44 S 3丒25 3. 55,除3*0 3,4 L 8*0 一,F 0* 75 1-15 P L65 1.95,A L5 L9 & 0. 55 0. 65,C — 3- 0 q 7.3 7.7,5 10.7 1L 3,图1外形图,3-3最大额定值和主要电特性,3-3.I最大额定值,__ 4 ..,L1,SJ 50033- 53-94,注J）アc>25C时,按15. 2mW/O线性降额.,型 号Tc=25C,(W),厶,(V),Vgs,(V),Zd,(mA),r,(C),T小,CC),CS0530,CS0531,2.3 13 -7 ん掲175 -65 .175,3.3.2主要电特性（Ta=25C）,X符,极、号,A,ル=3V,Vgs=0V t,(mA),V* = 3V,/D=30mA,(V),Joss,Vos = - 6V,Vgs=0V,(2),gm,Vre=3V,Id丒〇?51nss,(mS),最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值,CS0530,250 700 -L5 一 5丒5 一400 100,ヽ,CSO531,\符,ヘ号,夫曲外ー士产”U杷） GptldB) 卜id,尸t0t=L 6W,加热时间,100ms,（r/w）,Vds =8~ 1.0V,ム=。,51睜"卯=8, OGHi.,R=19dBm(CS0530),产产 22dBm(CS053D,(dBm) (dB) く%),型号、、,?最小值最大值最小值最大值最小值最大值标称值,CS053Q,66,25 6 20,CSO531 27 5 25,3.4测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3 . 5标志,本器件极性标志见图1.器件包装盒上的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4 .!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33和本规:范的规定.,4.1.1关于结构相似器件抽样的规定,在同一生产线上,采用相同材料,相同工艺.同一套光刻掩模版（同一版上可有不同图形）,制造的CS0529,CS0530,CS053I和CSO532型器件,除A2、A3、A4、B3和B5分组外,相同芯,片批的器件可作为结构相似器件进行逐批检验;除C6分组外相同检验周期的器件可作为结,构相似器件进行周期检验，在这种情况下从某ー个型号或几个型号的器件中抽取的ー组样品,SJ 50033. 53-94,的试验结果,对这四个型号的器件均有效,在同一生产线上,采用相同设计,相同制造工艺,相同材料制遣的,仅因输出功率不同而分,成CSO53O和CS0531两个型号的产品,除A4分组外可作为结构相同器件,ー个型号器件的,检验结果对另ー个型号的器件也有效,4.2鉴定检验,鉴定检验应按GJB 33的规定,4 3筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除.,筛 选,见GJB 33表2,试验方法,GJB128方法,测试和试验,3热冲击（温度循环）,7屮间测试,S功率老化,9最后測试,1051,1039,-65ヒ.+ 15OC,loss及 Jgss,Tc = 70-C ;Vds=9. 5V,尸3尸2. 0W,按本规范表1的AZ分组:,ん睁=初始值的±15%,从%加=初始值的±10%或0. 5……
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